在科技快速的提升的今天，湖南长城银河科技有限公司于2024年12月成功申请了一项关于单粒子效应的加固器件专利（公开号：CN119653865A），成为集成电路设计领域的又一耀眼星辰。
该专利旨在通过创新设计提升电子元器件的抗干扰的能力，具体方式是在NMOS和PMOS晶体管的源极中央区域插入巧妙设计的阱。这一设计不仅与源极无缝连接，更显著增强了阱点的可控性，从而有效抑制了单粒子效应所造成的脉冲宽度变化。
根据专利摘要显示，当线性能量转移（LET）为37mev·cm²/mg时，与未加固的布局相比，PMOS管的脉冲宽度（WSET）竟然降低了高达80%，而NMOS管也实现了约50%的减幅。这一成果无疑为集成电路的稳定性提供了新的保障，尤其是在面对不同的环境条件（宽温、宽电压等）时，表现出色。
湖南长城银河科技有限公司自2015年成立以来，在长沙市扎根发展，注册资本为5000万人民币。公司不仅在软件和信息技术服务业中崭露头角，还热情参加各类招投标项目，迄今为止参与高达80次，专利与商标信息更是屡创新高，分别达141条和19条以上。从这一些数据来看，该公司的技术实力和市场潜力不可小觑。
随着信息技术的持续演变，集成电路作为科学技术进步的基石，其安全性和可靠性都显得很重要。长城银河的这项专利，正是对集成电路领域的有力补充，或将在未来的科技发展中，推动更多技术创新的浪潮。对于关注科技动态的朋友们，这无疑是个不可错过的亮点。让我们拭目以待，长城银河如何在激烈的市场之间的竞争中开创新的局面！返回搜狐，查看更加多
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