此前有 报道 称，由于A100和H100数据中心GPU的需求大幅度提升，而负责制造及封装的台积电（TSMC）产能有限，英伟达与三星进行谈判，或许要分担部分的工作量。三星的目标不仅仅是封装订单，还想借机拿下部分HBM3订单，而之前都是SK海力士负责的。AMD新一代Instinct MI300系列新产品也即将发货，同样需要HBM3和2.5D封装，这在某种程度上预示着产能方面会更加紧张。
据Hangyunk 报道 ，AMD已经与三星达成协议，后者将负责为Instinct MI300系列提供HBM3和封装技术。鉴于台积电的封装产能被英伟达大批量订单占据，这让AMD新产品陷入非常不利的局面，如果想进一步开拓AI市场，急需其他合作伙伴分担工作量，这也给了三星切入的机会。
目前三星已通过了HBM3的决定性质量测试，为与AMD之间的合作打下了基础。随着拿下AMD Instinct MI300系列新产品的订单，有机构预计明年三星将获得HBM市场50%的份额。三星也向英伟达提出了新的方案，而现阶段“双源”战略对后者可能更为有利，可以最大限度地提高产能，不过英伟达还需要顾及与台积电之间的关系。
此外，AMD可能会像英伟达及英特尔那样，通过定制产品绕开相关的出口限制，寻找机会向中国客户提供对应的人工智能解决方案，也就是中国市场产品。
在不久之前，NVIDIA就曾站出来表示，制约其高端计算卡出货的并不是芯片本身的产能，而是先进半导体封装工艺。台积电的CoWoS封装已经是很多芯片厂商所争抢的新的翘楚了。而AMD似乎要选择避过这个争抢的势头，转而选择三星的2.5D封装。虽在先进度上不及台积电CoWoS封装，但满足AMD的芯片需求应该是足够的，这让AMD可以不去争抢昂贵且紧缺的台积电订单。而除了封装外，三星似乎也想借机推销自家的HBM3显存。作为高端计算卡锁必须的组成部分，三星如果能那些这一大订单，似乎会是一个新的转机？
随着全球游戏市场需求增加，三星和SK海力士都在加快对图形专用高性能DRAM的开发工作。市场调查研究公司IGI的最新报告数据显示，用于GPU的GDDR市场预计会从2018年的32亿美元增长至2030年的48亿美元，期间平均每年的增长率为7.6%。其中像GDDR6这样的高性能GDDR类产品，预计每年的增长率将超过两位数。
GDDR大多数都用在GPU，虽然性能不如HBM，不过成本会低许多，后者现在更多地用作人工智能（AI）服务器上面。据Business Korea 报道 ，美光现在在GDDR方面处于领先位置，但三星和SK海力士都瞄准了这一领域，加紧GDDR7的开发，抢夺高端游戏显卡的市场。
英伟达的GeForce游戏显卡使用的GDDR主要由美光提供，而三星希望先利用HBM切入，然后在下一代GDDR产品上成为供应商。三星在上个月 宣布 已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps，承诺在能效方面相比GDDR6会有20%的提升，为此还引入了几项新的技术。据了解，三星已经向英伟达提供了样品，用于验证下一代系统。虽然SK海力士没明确其GDDR7的时间表，不过有消息称，会在年内完成开发工作。
相比之下，美光的GDDR7要慢一些。今年6月在2023财年第三财季的财报电话会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra已确认，美光会选择在1ß节点上推出新款GDDR7产品，时间大概是明年的上半年。从时间上来看，美光要落后于三星和SK海力士，因此英伟达可能会第一先考虑两家韩国存储器巨头的GDDR7产品。
而三星自己也是意识到了这个转机的重要性，高端计算卡市场需要HBM3显存，高端游戏卡同样需要新一代的GDDR显存，如今，三星与SK海力士都已经加紧下一代GDDR7显存的研发步伐了，想要借助在HBM显存上的合作，借机推广新一代GDDR7显存。在DRAM市场逐步收缩的今天，或许显存会是新的突破口，至少三星与海力士都是这么认为的。
新 闻 ③ ： 消息称英伟达正在评估三星 GDDR7 显存，RTX 50 系显卡有望搭载
据 Toms Hardware 报道，英伟达正在评估三星 GDDR7 显存。目前，英伟达中高端显卡采用的 GDDR6X 显存均来自美光。
三星慢慢的开始向英伟达运送 GDDR7 样品，以验证英伟达下一代产品。据 BusinessKorea 报道，SK 海力士也不甘落后，计划在今年内完成自己的 GDDR7 技术。相比之下，美光仅表示将在明年上半年推出首款 GDDR7 产品。
消息称，英伟达有兴趣将尽可能多的 GDDR IC 型号与其 GPU 匹配，以鼓励供应商之间的竞争，并最终使 GeForce 显卡更便宜。
据 IT 之家此前报道，三星电子今年 7 月份已经宣布完成其业内首款 GDDR7 的研发工作，年内将首先搭载于主要客户的下一代系统上验证。
三星 GDDR7 可达到出色的每秒 1.5 太字节（TBps）的带宽，是 GDDR6 1.1TBps 的 1.4 倍，并且每个数据 I / O（输入 / 输出）口速率可达 32Gbps。该产品采用脉幅调制（PAM3）信号方式，取代前几代产品的不归零（NRZ）信号方式，以此来实现性能大幅度的提高。在相同信号周期内，PAM3 信号方式可比 NRZ 信号方式多传输 50% 的数据。
另外，GDDR7 的设计采用了适合高速运行的节能技术，相比 GDDR6 能效提高了 20%。针对笔记本电脑等注重功耗的设备，三星提供了一个低工作电压的选项。
为最大限度地减少显存芯片发热，除集成电路（IC）架构优化外，三星还在封装材料中使用具有高导热性的环氧成型化合物（EMC）材料。与 GDDR6 相比，这些改进不仅明显降低 70% 的热阻，还帮助 GDDR7 在高速运行的情况下，实现稳定的性能表现。
上文中提到三星已经向NVIDIA提供样品，而一手消息显示，NVIDIA也同步开始对三星GDDR7显存开始了评估工作。要是速度快的线应该有希望用上才对。目前，三星是进度最快的厂商，海力士紧随其后，美光的反应则要慢上许多。按照时间估算，就算最慢的美光也可以在明年Q1左右完成，而NVIDIA的下一代游戏显卡发布可能会在2024年Q4，这一段时间应该是赶得上的。不知道NVIDIA最终的评估结果如何，但这个结果应该会直接决定我们能不能在下一代游戏卡上见到GDDR7显存。
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