MOS管是一种电压操控型器材,具有输入阻抗高、噪声低、耐热性好等长处。它的作业原理是根据半导体资料的能带理论,经过调理栅极电压来操控沟道的导通和截止。
在MOS管的电路符号中,G代表栅极,D代表漏极,S代表源极。栅极经过施加电压来操控漏极和源极之间的导通和截止。
漏极和源极之间的高电阻率区域构成了MOS管的通道。当栅极电压超越阈值电压时,通道导通,漏极和源极之间构成电流。
1、直接驱动,电源 IC 直接驱动是最简略的驱动方法,需求留意以下几个参数的影响:
①检查电源 IC 手册的最大驱动峰值电流;不同芯片,驱动才能大多时分不一样。
2、推挽驱动,当电源 IC 驱动才能不行时,可用推挽驱动。它能提高电流的供给才能,敏捷完结关于栅极输入电容电荷的充电进程。
推挽驱动增加了导通所需求的时刻,但减少了关断时刻,使开关管能快速注册且避免上升沿的高频振动。
3、加快关断驱动,MOS 管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能供给一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,确保开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管。其间D1常用的是快康复二极管。这使关断时刻减小,一起减小关断时的损耗。Rg2是避免关断的时电流过大、损坏电源 IC 。
4、阻隔驱动,为满意高端 MOS 管的驱动,经常会选用变压器驱动。R1意图是按捺PCB板上寄生的电感与C1构成 LC 振动,C1的意图是离隔直流,经过沟通,一起也能避免磁芯饱满。
以上便是咱们今日要共享的MOS管析。期望这一些信息能协助你更好地了解和使用MOS管和相关的驱动电路。
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