1.本发明涉及激光电路技术领域，具体而言，涉及一种电路保护元件及其制备方法。

　　2.随着科学技术的发展，激光装置已经慢慢的变多的应用于电子科技类产品上。激光装置由激光电路来驱动用于发射激光的激光源，因此，激光电路的稳定运行是激光装置正常工作的重要保障。为了能够更好的保证激光电路的稳定工作，通常会将激光电路与保护元件串联，保护元件的方阻应该要依据激光电路确定，可能为低方阻也可能为高方阻。

　　3.保护元件的制备方法通常为在基板上镀金属膜层，然后刻蚀金属膜层形成金属图形电路。现有金属的电阻普遍较低，制备低方阻保护元件较为容易。当需要制备高方阻保护元件时，若采用低电阻金属加工则要求图形电路的线宽较窄，加工难度较大，而高电阻金属材料又不易研发制得。

　　4.本发明的目的是提供一种电路保护元件及其制备方法，该电路保护元件能达到高方阻要求且易于加工。

　　6.一种电路保护元件，其包括基板和形成于基板上的金属电路层，金属电路层上形成有连续的金属图案，金属电路层的组分包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物。

　　7.可选的，作为一种可实施的方式，金属电路层的厚度为30-3000nm。

　　9.一种电路保护元件的制备方法，其包括：在基板表面镀设导电膜层，导电膜层的组分包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物；刻蚀导电膜层形成金属电路层，金属电路层上形成有连续的金属图案。

　　10.可选的，作为一种可实施的方式，上述在基板表面镀设导电膜层包括：将基板置于真空腔室内；在基板表面蒸镀铬并向真空腔室内通入氧气以形成铬的不完全氧化物作为导电膜层。

　　11.可选的，作为一种可实施的方式，上述将基板置于真空腔室内之后，方法还包括：采用离子源对基板进行离子预清洗。

　　12.可选的，作为一种可实施的方式，上述刻蚀导电膜层形成金属电路层，金属电路层上形成有连续的金属图案包括：在导电膜层上涂布光刻胶；刻蚀光刻胶使导电膜层部分暴露，且剩余的光刻胶呈连续状态；去除暴露的导电膜层以露出基板；去除剩余的光刻胶以得到金属电路层上连续的金属图案。

　　13.可选的，作为一种可实施的方式，线.可选的，作为一种可实施的方式，上述在基板表面蒸镀铬并向真空腔室内通入氧

　　气以形成铬的不完全氧化物作为导电膜层包括：在基板表面蒸镀铬；离子源和真空腔室同时向基板表面加入氧气以形成铬的不完全氧化物作为导电膜层。

　　15.可选的，作为一种可实施的方式，铬的蒸镀速率为0.2-10nm/s，离子源的氧气流量为5-100sccm，腔室的冲氧流量为5-500sccm。

　　17.本发明一方面提供一种电路保护元件，其包括基板和形成于基板上的金属电路层，金属电路层上形成有连续的金属图案，金属电路层的组分包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物。该电路保护元件的金属电路层包括铬及铬的不完全氧化物，能够在保证膜层厚度的前提下得到较高的方阻，易于加工且电阻散差较小。

　　18.本发明另一方面提供一种电路保护元件的制备方法，其包括：在基板表面镀设导电膜层，导电膜层的组分包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物；刻蚀导电膜层形成金属电路层，金属电路层上形成有连续的金属图案。该方法工艺简单并能够形成方阻高且电阻散差小的电路保护元件。

　　19.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还能够准确的通过这些附图获得其他相关的附图。

　　27.图标：10-电路保护元件；11-基板；12-金属电路层；13-金属图案。

　　28.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

　　29.因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

　　30.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

　　31.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件一定要有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

　　32.此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而可以稍微倾斜。

　　33.在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也能够最终靠中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以详细情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

　　34.请参照图1和图2，本实施例提供一种电路保护元件10，其包括基板11和形成于基板11上的金属电路层12，金属电路层12上形成有连续的金属图案13，金属电路层12的组分包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物。

　　35.电路保护元件10包括基板11和金属电路层12，金属电路层12覆盖在基板11的表面，用于形成连续的金属图案13，金属电路层12沿垂直于基板11方向的投影形状即为金属图案13。金属电路层12的组分包括铬及铬的不完全氧化物，其中，铬的不完全氧化物也为混合物。

　　36.铬的电阻率较低，若采用纯铬来形成金属电路层12，当要求电路保护元件10的方阻较大时，需要金属电路层12的厚度较小，难以形成连续的金属电路层12，会导致电阻散差较大。而将铬氧化后，铬及其不完全氧化物的混合物具有较高的电阻率，可以在较厚的金属电路层12上形成较高的方阻。

　　37.应理解，本实施例中，对基板11的材料不作限定，可以为蓝宝石、树脂、玻璃、水晶等，只要易于金属电路层12的形成即可。

　　38.如上所述，该电路保护元件10包括基板11和形成于基板11上的金属电路层12，金属电路层12上形成有连续的金属图案13，金属电路层12的组分包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物。该电路保护元件10的金属电路层12包括铬及铬的不完全氧化物，能够在保证膜层厚度的前提下得到较高的方阻，易于加工且电阻散差较小。

　　39.可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，金属电路层12的厚度为30-3000nm。

　　40.金属电路层12的厚度影响其方阻和电阻散差，当金属电路层12的厚度在300-3000nm之间时，金属电路层12具有较高的方阻和较小的电阻散差。而当金属电路层12的厚度小于30nm时，难以形成连续膜，会导致金属电路层12各部分的厚度不一致，电阻散差较大。当金属电路层12的厚度大于3000nm时，膜层厚度过大，会严重降低金属电路层12的方阻。

　　41.可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，金属电路层12的方阻为30-300ω/

　　42.金属电路层12的方阻受形成金属电路层12的材料的电阻率和金属电路层12的厚度影响，当方阻在30-300ω/

　　之间时，对铬及其不完全氧化物的混合物的电阻率要求较低且金属电路层12的厚度在适当的范围以内，易于加工且形成的金属电路层12的散差较小。

　　43.请参照图3，本发明实施例还公开了一种电路保护元件10的制备方法，其包括：

　　44.s100：在基板表面镀设导电膜层，导电膜层的组分包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物。

　　45.s300：刻蚀导电膜层形成金属电路层，金属电路层上形成有连续的金属图案。

　　46.在基板11的表面覆盖一层导电膜层，导电膜层用于形成金属电路层12。导电膜层的组分包括铬及铬的不完全氧化物，其中，铬的不完全氧化物也为混合物。

　　47.对导电膜层进行刻蚀以部分去除导电膜层并将导电膜层下方的基板11暴露，刻蚀后的导电膜层即为金属电路层12，金属电路层12沿垂直于基板11方向的投影形状即为金属图案13。金属图案13呈连续状态，以保证金属图案13具有导电性。

　　48.需要说明的是，本实施例中对导电膜层的形成方式不作限定，只要其能够均匀覆盖在基板11表面并具有较高的方阻即可。示例地，能够使用线上形成导电膜层，即置待镀材料和被镀基板11于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使之蒸发或升华，并飞行溅射到被镀基板11表面凝聚成膜。

　　49.如上所述，该电路保护元件10的制备方法有：在基板11表面镀设导电膜层，导电膜层包括铬及铬的至少一种的不完全氧化物的混合物；刻蚀导电膜层形成金属电路层12，金属电路层12上形成有连续的金属图案13。上述方法工艺简单并能够形成方阻高且电阻散差小的电路保护元件10。

　　50.请参照图4，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，在基板表面镀设导电膜层包括：

　　51.s110：将基板置于线放置于真空腔室内，在线进行镀膜操作。在真空条件下成膜可减少金属铬材料的原子、分子在飞向基板11过程中与气体分子的碰撞，减少气体中的活性分子和金属铬间的化学反应，以及减少成膜过程中气体分子进入金属电路层12中成为杂质的量，来提升导电膜层的致密度、纯度、沉积速率和与基板11的附着力。示例地，可将基板11置于真空蒸发镀膜机中进行镀膜操作。

　　53.s130：在基板表面蒸镀铬并向真空腔室内通入氧气以形成铬的不完全氧化物作为导电膜层。

　　54.将基板11和金属铬材料同时置于真空腔室内，加热金属铬材料使之蒸发或升华，并飞行溅射到基板11上，与此同时，向基板11的表面添加氧气，使得金属铬在凝聚成膜的过程中发生氧化反应，形成铬的不完全氧化物，故得到的导电膜层包括了铬及铬的不完全氧化物。

　　55.待导电膜层达到预设厚度后，即可停止蒸镀。预设厚度即所需的金属电路层12的厚度，预设厚度影响金属电路层12的方阻。优选的，预设厚度为30-3000nm，该厚度范围下的金属电路层12具有较高的方阻和较小的电阻散差。

　　56.可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，线.线pa能够保证金属电路层12的致密度、纯度、沉积速率和与基板11的附着力。通常情况下，金属铬材料与基板11的距离越远，对金属电路层12的质量发展要求越高，则线，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，将基板置于真空腔室内之后，方法还包括：

　　60.离子源发出离子束轰击基板11表面，在较高线表面污染层，以达到彻底清洗的目的。相较于其他干性和湿性清洗材料表面的方法，离子束清洗表面的作用最为彻底，而且由于离子束定向性强，工作气体压强低和离子溅射参数易于单独控制，使离子束清洗工艺灵活性最强。同时，经离子束轰击过后的基板11表面有利于增强导电膜层的附着力。

　　61.请参照图6，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，刻蚀导电膜层形成金属电路层，金属电路层上形成有连续的金属图案包括：

　　63.s220：刻蚀光刻胶使导电膜层部分暴露，且剩余的光刻胶呈连续状态。

　　66.在导电膜层上涂布光刻胶，使光刻胶完全覆盖导电膜层。根据所需要的金属图案13制作掩膜板，利用掩膜板保留导电膜层上用于形成金属图案13的部分的光刻胶，被保留的光刻胶呈连续状态，其余部分的光刻胶则被去除。光刻胶被去除的部分暴露出导电膜层，去除暴露的导电膜层以露出导电膜层下方的基板11并形成金属电路层12。此时，光刻胶沿垂直于基板11方向的投影形状与金属图案13的形状相同。去除剩余的光刻胶，即可得到金属电路层12上连续的金属图案13。

　　67.请参照图7，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，在基板表面蒸镀铬并向真空腔室内通入氧气以形成铬的不完全氧化物作为导电膜层包括：

　　69.将基板11和金属铬材料同时置于真空腔室内，加热金属铬材料使之蒸发或升华，并飞行溅射到基板11上。

　　70.s132：离子源和真空腔室同时向基板表面加入氧气以形成铬的不完全氧化物作为导电膜层。

　　71.在蒸镀金属铬的过程中，离子源和线表面加入氧气，以保证真空腔室内氧气的含量足够用于形成铬的不完全氧化物并方便控制氧气的流量。

　　72.可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，铬的蒸镀速率为0.2-10nm/s，离子源的氧气流量为5-100sccm，腔室的冲氧流量为5-500sccm。

　　73.铬的蒸镀速率为0.2-10nm/s，在此范围内，蒸镀的速度较快并能保证蒸镀的稳定性，且不会对蒸镀设备造成较大的压力。蒸镀速率低于0.2nm/s，产能较低，高于10nm/s，需要在腔室内短时间冲入大量的氧气，稳定性较低且能量较高容易损坏蒸镀设备。离子源的氧气流量为5-100sccm，腔室的冲氧流量为5-500sccm，两者之间可以相互配合，既能够保证较大的充氧流量，又能轻松实现灵活调节，以确保形成的金属电路层12具有较高的方阻。

　　74.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

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