一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”。
五、 公司负责人李虹、主管会计工作负责人吴国屹及会计机构负责人（会计主管人员）吴从韵声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规和规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。
本报告中所涉及的未来计划、发展的策略等前瞻性描述不构成公司对投入资产的人的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
十一、 是不是真的存在半数以上董事没办法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
China Resources Microelectronics Limited（华润微电子有 限公司）。在用以描述公司资产、业务与财务情况时，根 据文义需要，亦包括其各分子公司
China Resources (Holdings) Company Limited（华润（集团） 有限公司）
CRH (Microelectronics) Limited（华润集团（微电子）有限 公司），本公司的控股股东
一种检测装置，可以感觉到被测量的信息，并按一定规律变 换为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传 输、处理、存储、显示、记录、控制等要求
单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立 式半导体器件有二极管、三极管、光电器件等
功率集成电路，常见的功率 IC包括电源管理芯片、电机 驱动芯片、LED驱动芯片、音频功放芯片等
半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工制作各 种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品
处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号 是指用电参数，如电流和电压，来模拟其他自然物理量而 形成的连续性的电信号
一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、 电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质
为了验证集成电路设计是否成功，一定要进行流片，即从一 个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检 验电路是不是具备所需要的性能和功能
高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种新型功 率器件，在平面垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶 体管的基础上，引入电荷平衡结构
金属势垒即肖特基势垒，是一种由势垒金属与轻掺杂半导 体接触所形成的具有一定势垒高度的整流结构
指用铜块替代打线的工艺的一种新型的封装工艺，类似的 有铝带/铜丝/金丝键合工艺
Bipolar-CMOS-DMOS的简称，BCD是一种单片集成工艺 技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极管 bipolar， CMOS和 DMOS器件，称为 BCD工艺
Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化 物半导体，互补式金属氧化物半导体，一种在同一电路设 计上结合负信道及正信道的集成电路
双扩散金属氧化物半导体，主要有垂直双扩散金属氧化物 半导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半 导体场效应管 LDMOSFET
Electromagnetic Interference，即电磁干扰。指电磁波与电 子元件作用后而产生的干扰现象
Electro-Static discharge，静电释放。静电防护是电子科技类产品 质量控制的一项重要内容
快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短 特点的半导体二极管
IDM模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内 全部或主体业务环节的经营模式
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET和双极性晶体 管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率 控制能力高、工作频率高等特点
沟槽式肖特基势垒二极管，简称 TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）
智能功率模块，由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电 路以及快速保护电路构成
Lighting Emitting Diode，发光二极管，是一种半导体固体 发光器件
低压沟槽型 MOSFET，是低压 MOS的一种，在体硅表面 刻蚀沟槽形成栅电极，将传统平面 MOS沟道由表面转移 到体内
微控制单元，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减， 并将内存、计数器、USB等周边接口甚至驱动电路整合 在单一芯片上，形成芯片级的计算机
微机电系统。指集微型机构、微型传感器、微型执行器以 及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体 的微型器件或系统
金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以普遍的使用在 模拟电路与数字电路的场效晶体管
Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管，利用金属与 半导体接触形成的金属－半导体结原理制作
System-on-a-Chip，又称为芯片级系统，是在单个芯片上 集成 CPU、GPU等整个电子系统的产品
Small Out-Line Package，小外形封装，是一种常见的元器 件形式，其变种包括 TSSOP、SSOP、QSOP等
沟槽型场截止结构，沟槽型将表面沟道变为纵向沟道，场 截止指击穿时电场是穿通型的
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务紧密关联、 符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持 续影响的政府救助除外
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金融企 业持有金融实物资产和金融负债产生的公允市价变动损益以及处置 金融实物资产和金融负债产生的损益
企业取得子公司、联营企业及合资经营企业的投资所需成本小于取得投 资时应享有被投资单位可辨认净资产公允市价产生的收益
对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，应付职员薪酬的 公允市价变动产生的损益
对公司将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用
公司的主营业务包括功率半导体、数模混合、智能传感器及智能控制产品的设计、生产及销售，以及提供开放式晶圆制造、封装测试等制造服务，属于半导体行业。
半导于电子行业的中游，上游是电子材料和设备。半导体和被动元件以及模组器件通过集成电路板连接，构成了智能手机、电脑等电子科技类产品的核心部件，承担信息的载体和传输功能是信息技术产业的核心，是支撑经济社会持续健康发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体是电子科技类产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序多、产品品种类型多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求和自身产能库存等因素密切相关。
自 2000年以来，我国政府不断的提高半导体行业的战略地位，通过种种政策持续大力扶持半导体产业的发展，如 2011年国务院颁布的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业高质量发展的若干政策》、2014年国务院颁布的《国家集成电路产业高质量发展推进纲要》，2016年国务院颁布的《“十三五”国家战略新兴起的产业发展规划》、2017年工信部颁布的《物联网“十三五”规划》、2020年 8月，国务院颁布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》，制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施，进一步优化半导体产业高质量发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量。2021年 3月，第十三届全国人民代表大会第四次会议表决通过了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035年远景目标纲要》的决议，纲要提出需要集中优势资源攻关多领域关键核心技术。坚定发展半导体产业已上升至国家重点战略层面，并成为社会各界关注的重点产业。2022年 2月，教育部、财政部、发改委联合发布《关于深入推进世界一流大学和一流学科建设的若干意见》，提出加强集成电路、人工智能等领域人才的培养。2023年 8月，工信部和财政部印发《电子信息制造业 2023—2024年稳增长行动方案的通知》，落实《新时期促进集成电路产业和软件产业高水平发展的若干政策》及各项细则，落实集成电路企业增值税加计抵减政策，协调解决企业在享受优惠政策中的问题。着力提升芯片供给能力，积极协调芯片企业与应用企业的对接交流。面向数字经济等发展需求，优化集成电路、新型显示等产业布局并提升高端供给水平，增强材料、设备及零配件等配套能力。同年，财政部、税务总局等部门多次发布集成电路企业税收优惠政策。2024年 6月，中国证监会发布《关于深化科创板改革服务科技创新和新质生产力发展的八条措施》，完善资本市场“1+N”政策体系，进一步全面深化资本市场改革，推动股票发行注册制走深走实，积极发挥科创板“试验田”作用，促进新质生产力发展。
2024年上半年，人工智能、消费电子拉动下游需求回暖，全球半导体销售额逐步回升，多数机构对 2024年半导体增长预测值均在 10%以上。其中世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测 2024年全球半导体销售额将达到 6,112亿美元，同比增长 16%。美国半导体行业协会（SIA）预计全球半导体销售额将同比增长 15.8%。从地域上看，北美、亚太等是消费和计算电子呈增长趋势的地区，复苏明显。从产品上看，存储市场规模呈反弹趋势；逻辑电路得益于消费电子复苏和 AI算力需求上升，向好发展；模拟电路国际市场依然有压力，但国内市场已有复苏趋势。全球功率半导体市场也逐渐回归增长轨道，规模有望继续扩大，2024年度增速预测达到 7.2%。
我国集成电路产业在上半年呈增长趋势，据工信部统计，2024年上半年，我国集成电路产量2,071亿块，同比增长 28.9%。据海关统计，2024年上半年，我国集成电路出口额 764.1亿美元，同比增长 21.6%；出口量 1,393.1亿块，同比增长 9.5%。
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体分为功率 IC和功率分立器件两大类，功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。
功率半导体属于特色工艺产品，非尺寸依赖型，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律，而专注于结构和技术改进以及材料迭代。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在 8%-10%之间，结构占比保持稳定。功率半导体是电力电子装置的必备，行业周期性波动较弱。
近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，行业市场规模呈现稳健增长态势。
根据 Omdia数据预计，2024年全球功率半导体市场规模增长至 781亿美元。中国是全球最大的功率半导体消费国，目前占据全球功率半导体市场规模的 37%左右，且中国的功率半导体市场规模仍在逐步增加，预计至 2028年中国功率半导体市场规模有望达到 405亿美元。
公司是中国领先的拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、数模混合、智能传感器与智能控制等领域。经过多年发展及一系列整合，公司是目前国内领先的运营完整产业链的半导体企业。
公司是中国本土领先的以 IDM模式为主经营的半导体企业，同时也是中国最大的功率半导体企业之一。在功率半导体领域，公司多项产品的性能、工艺居于国内领先地位，与国外厂商差距不断缩小，国产化进程正加速进行。公司主要产品包括以 MOSFET、IGBT、第三代宽禁带半导体为代表的功率半导体产品，以光电传感器、烟报传感器、MEMS传感器为主的传感器产品，和以MCU为代表的智能控制产品等。根据 Omdia 2024年 4月的统计，公司在中国 MOSFET厂商中规模排名第一。
3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）第三代半导体材料带来发展新机遇
第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料；第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓、锑化铟；第三代半导体材料是宽禁带半导体材料，其中最为重要的就是 SiC和 GaN。和传统半导体材料相比，更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。SiC具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如 MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比，GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，是超高频器件的极佳选择，适用于 5G通信、微波射频等领域的应用。未来，随着第三代半导体材料的成本因生产技术的不断提升而下降，其应用市场也将迎来爆发式增长，给半导体行业带来新的发展机遇。
根据 Omdia数据，全球 SiC和 GaN功率半导体在混合动力和电动汽车、电源和光伏逆变器等需求的推动下，未来十年保持两位数的年均复合增长率，在 2030年将超过 175亿美元。
随着物联网、5G通信、人工智能等新技术的不断成熟，消费电子、工业控制、汽车电子等半导体主要下游制造行业的产业升级进程加快。下游市场的革新升级强劲带动了半导体企业的规模增长。在汽车电子领域，相比于传统汽车，新能源汽车需要用到更多传感器与制动集成电路，新能源汽车单车半导体价值将达到传统汽车的两倍，同时功率半导体用量比例也从 20%提升到近50%。在新能源光伏领域，在碳达峰碳中和目标引领和全球清洁能源加速应用背景下，根据行业规范公告企业信息和行业协会测算，全国光伏产业链主要环节保持强劲发展势头。新兴科技产业将成为行业新的市场推动力，并且随着国内企业技术研发实力的不断增强，国内半导体行业将会出现发展的新契机。
公司是中国领先的拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、数模混合、智能传感器与智能控制等领域，为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。公司产品设计自主、制造全程可控，在功率半导体领域已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。
目前公司主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块。公司产品与方案业务板块聚焦于功率半导体、数模混合、智能传感器与智能控制等领域。公司制造与服务业务主要提供半导体开放式晶圆制造、封装测试等服务。此外，公司还提供掩模制造服务。
公司产品与方案板块业务目前主要采用 IDM经营模式，同时制造与服务板块业务向国内外半导体企业提供专业化服务。
IDM模式是指包含芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模式。公司产品及方案板块采用 IDM经营模式，主要原因为 IDM模式在研发与生产的综合环节长期的积累会更为深厚，有利于技术的积淀和产品群的形成。另外，IDM企业具有资源的内部整合优势，在 IDM企业内部，从芯片设计到制造所需的时间较短，不需要进行硅验证，不存在工艺对接问题，从而加快了新产品面世的时间，同时也可以根据客户需求进行高效的特色工艺定制。
功率半导体领域由于对设计与制造环节结合的要求更高，采取 IDM模式更有利于设计和制造工艺的积累，推出新产品速度也会更快，从而在市场上可以获得更强的竞争力。该模式对企业技术、资金和市场份额要求较高。公司主要经营模式未发生改变，详细情况请参见公司 2023年年报披露部分。
公司业务包括产品与方案业务及制造与服务业务两大业务板块，公司在主要的业务领域均掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术，大部分核心技术均为国内领先，其中 BCD工艺技术、MEMS工艺技术以及 GaN器件设计及工艺技术为国际领先。上述核心技术已成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司主要核心技术情况如下：
1）较优的单位面积导通电阻值及优值系数（FOM） 2）抗短路能力强 3）可靠性高
1）高的功率密度 2）更好的 EMI和效率折衷表现 3）高可靠性和高抗冲击能力 4）集成低漏电超快恢复 FRD的产品，适用于更高功率 的全桥拓扑应用类市场 5） 超高压系列 1000V-1700V拓展到更宽应用
1）自主专利保护的采用非掺杂多层外延技术 2）更高的功率密度 3）更高的开关效率 4）高 ESD保护能力 5）工业和车业级可靠性，电压拓展至 1200V以上 6）集成快恢复 FRD的产品，适用于更高功率的 ZVS、 LLC拓扑应用类市场，如充电桩，通讯电源等
1）采用微沟槽栅 Trench-FS工艺 2）超薄晶圆加工技术 3）导通电压低、开关损耗小 4）可靠性高、适用性强
1）采用 8英寸 Trench结构 2）电压覆盖 30V-200V 3）多种金属势垒、满足不同性能要求
1）采用重金属掺杂工艺 2）较快的反向恢复特性 3）较优的软度系数、高雪崩耐量
1）丰富的产品规格、多种控制方式 2）具有智能联网功能 3）通过美国 UL认证
1）采用高精度 Delta-Sigma ADC技术，功耗低、灵敏 度高 2）可同时处理多个、多种 MEMS传感器，实现 MEMS 传感器信号同步采样、信号实时处理和校准
1）高度集成、高可靠性、低功耗设计 2）内部集成多种保护功能：欠压保护、输入双高互锁 过流检测、温度检测、错误信号输出等，可提供优异的 保护和故障安全操作 3）丰富的产品规格和封装类型，适配多种应用场景
覆盖绝大多数锂电系统的应用需求，包括单节锂电保 护、2-10节锂电硬件保护、5-8节及电动两轮车应用 17 串锂电保护模拟前端
1）采用公司特色 700V BCD工艺 2）产品规格齐全，包含线性 LED、开关 LED驱动两大 类及 DC照明驱动 3）性能稳定、可靠性高
1）领先的特色光电工艺，量子效率高 2）全系列光电耦合和传感产品，涵盖隔离驱动器、高 速光耦、高压可控硅光耦、光继电器、系列高低压和达 林顿光耦芯片、可见光检测芯片、生物光传感器芯片等 系列产品 3）产品稳定性好，抗干扰能力强，隔离电压高，信噪 比高，重复峰值电压高，开关速度高，为业界领先。
1）采用公司自主研发的 SiC工艺和封装技术 2）优异的导通压降 Vf、Qc及漏电，系统性能达到国际 一线）工业级可靠性
1）采用自主研发的 SiC工艺及封装技术 2）优异的击穿电压、比导通电阻及 FOM值，产品电参 数达到国际标杆产品水平 3）雪崩耐量高，高栅氧可靠性
1）采用公司自主研发的 Si基氮化镓工艺及封装技术 2）成熟、稳定的产线）优异的击穿电压、比导通电阻，参数达到国际标杆 样品水准
1）GaN E-mode功率器件的产品设计定型 2）自主研发 GaN E-mode器件工艺及封装技术 3）器件参数与对标产品相当，产品良率高
硅基高压 BCD工艺技 术、硅基高密度 BCD 工艺技术、SOI基 BCD 工艺技术
1）覆盖 1.0-0.18μm的各个技术节点 2）支持超大范围的工作电压 5V-700V 3）低导通电阻、高可靠性 4）同步提供 200-600V SOI基 BCD工艺选项
麦克风 MEMS工艺技 术、压力 MEMS工艺 技术、光电传感器工艺 技术、温湿度 MEMS 工艺技术
1）提供完整的标准 MEMS工艺模块，能够灵活调整 组合 2）提供多样化的表面或体硅加工技术及客制化的平 台 3）丰富的平台组合，包含压力、麦克风、光电、温 湿度等 MEMS工艺制程
1）提供金属框架、铝基板（IMS）和陶瓷基板三种 IPM封装技术解决方案 2）提供客制化的车规级模块封装
1）齐全的封装类型 2）多种工艺组合，满足不同器件性能的需要 3）掌握主流的功率封装先进工艺技术，包括超薄芯 片封装、铝丝和铝带键合、CopperClip Bond技术和 倒装（FC）技术等
1）提供完整的面板级扇出封装产品结构设计，仿线）双面散热工艺，有效降低器件工作温度 3）产品适用于大电流，降寄生，高散热产品
1）产品扇入，扇出相结合，最小化封装设计，有效 提升芯片与封装尺寸占比 2）可提供多层布线产品加工方案
面板级加工 Bond pad pitch 从 130um提升到 60um， 适用于小电流 IC芯片封装及多芯片
通过双面加工的工艺和塑封料通孔互联技术实现系 统级封装，具有低寄生参数，低阻抗设计等优势。实 现异质嵌入结构，堆叠嵌入的封装结构，可以用于电 源砖，功率模块等产品的量产平台
报告期内，公司紧跟国际国内技术前沿，加强核心技术攻关和关键技术开发，不断提升产品和技术在行业内的领先水平，取得了较好的成效。报告期内，主要研发成果如下： （1）完成第一代（8英寸）新型铁电存储材料研究和工艺集成开发，满足常规的工业级应用需求。
产品和工艺均填补了国内空白。同时公司利用此技术积极布局高端智能卡、智能仪表和 IOT等高端嵌入式 IC产品。
（2）完成 8英寸中压（100-200V）增强型 P-GaN工艺平台建设，并完成首颗 150V/36A增强型器件样品的制备。技术水平达到国内领先，填补了公司在相关技术/产品领域的空白，丰富并完善了公司功率器件产品种类，提升了公司综合竞争力。
（3）基于公司 0.18um BCD高压工艺制程，完成适用于电动车应用的系列产品：高串数电池系统的硬件保护与平衡芯片、面向高性价比需求的硬件保护芯片及高性能需求的模拟前端芯片。同时通过整合公司内部资源，推出国内领先的满足电动车应用的系统方案。针对客制化需求，借助供应链整合优势，提供客制化模拟前端和 MCU合封的虚拟数字前端产品，满足不同客户对 BMS多样需求。
（4）采用新型的 GaN控制及驱动技术，开发原边、副边控制芯片，及 GaN驱动芯片，推出基于GaN的高效能快充系统方案，最大输出功率可达 65W。产品技术达到了国内领先、国际先进水平，提升了公司高端电源管理芯片的整体研发技术水平。
（5）集成电路 LX100安全 MCU芯片产品通过国家密码管理局商用密码检测中心安全性审查，符合安全芯片密码检测准则第二级的要求，获得由国家密码管理局商用密码检测中心颁发的《商用密码产品认证证书》。标志着公司安全 MCU芯片产品在安全能力及应用水准方面达到行业前沿水平，可应用于物联网、工业互联网等应用领域的数据安全方面。
（6）首轮 800V超结 MOSFET车规产品通过 1000H可靠性摸底考核。
（7）通过产学研合作，公司参与的“功率 MOS与高压集成芯片关键技术及应用”获得 2023年度国家科学技术进步二等奖。
完成车规级SiC 平面型MOSFET 产品的研发，建立相应的车规级 产品设计、晶圆制造、封装测试 和考核评价能力，实现汽车电子 产品规模量产
1）完成高能注入流片； 2）完成器件性能第一轮评估，性能参数持续 优化中
完成SiC沟槽MOS器件及其制造 工艺开发，建立SiC沟槽MOS器 件设计平台和工艺制造平台
应用于光伏逆变器、风电逆变 器，UPS电源、电动汽车、充 电桩、车载充电机，轨道交通 驱动，服务器电源
1）第一代芯片电路设计一次通过，已试生产 并实现批量销售；通过EAL4+认证检测和国密 二级认证 2）第二代芯片流片试制中
完成抗量子计算的可重构安全 MCU项目的三平台建设及四芯片 研发和产业化
面向工业控制和汽车电子应 用的安全MCU，包括智能表计 /智能家居、物联网/工业互联 网、网络安全、汽车电池安全 认证、汽车车联网等领域
1）产出三层双背板器件demo，性能达到预期 目标 2）完成三层双振膜器件工程光片键合验证、 键合前单项工艺开发及整合 3）四层双振膜双背板器件结构设计完成
实现采用具有完全自主知识产 权技术量产的高端MEMS麦克风 产品，创新地利用异构集成的混 合键合技术制造高端硅麦器件 产品
应用于智能手机、智能音响设 备、医疗设备，智能汽车与智 能交通等新的应用领域
1）单电机产品（内置flash）已出片，核心功 能性能符合设计预期； 2）双电机产品完成设计评审，进入产品试制 过程中； 3）多电机产品处于设计开发阶段，目前产品 后端设计工作推进中
完成3颗高性能电机控制产品开 发，实现电机控制产品从单电机 到多电机布局
公司是中国本土领先的以 IDM模式为主经营的半导体企业，同时也是中国最大的功率半导体企业之一。对于功率半导体等产品，其研发是一项综合性的技术活动，涉及到产品设计端与制造端研发多个产业链环节的综合研发，IDM模式经营的企业在研发与生产各环节的积累会更为深厚，更利于技术的积淀和产品群的形成与升级。作为拥有 IDM经营能力的公司，公司的产品设计与制造工艺的研发能够通过内部调配进行更加紧密高效的联系。受益于公司全产业链的经营能力，相比 Fabless模式经营的竞争对手，公司能够有更快的产品迭代速度和更强的产线配合能力。基于IDM经营模式，公司能更好发挥资源的内部整合优势，提高运营管理效率，能够缩短产品设计到量产所需时间，根据客户需求进行更高效、灵活的特色工艺定制。
经过多年发展，公司在功率半导体等产品领域积累了系列化的产品线，能够为客户提供丰富CRMICRO、华晶等多个功率器件自主品牌，自主开发的中低压沟槽 MOS、SJMOS、SBD、FRD、IGBT工艺平台及相应模块和系统应用方案技术水平处于国内领先。公司是国内产品线最为全面的功率半导体厂商之一，丰富的产品线能够满足不同下游市场的应用场景以及同一细分市场中不同客户的差异化需求，产品面向汽车电子、计算机、网络通信、工业控制、医疗电子、消费电子等市场的电机、电池、电源三大应用领域，广泛应用于汽车电子、太阳能光伏以及工控、UPS、变频器、充电桩、电动车、通用开关电源、手机快充、照明、电动工具、家电、电焊机、储能、消防、智能电网、仪表等细分市场。
公司具有全国领先的半导体制造工艺水平，BCD工艺技术水平国际领先、MEMS工艺等晶圆制造技术以及智能功率 IPM模块封装等封装技术国内领先。先进全面的工艺水平使得公司提供的服务能够满足丰富产品线的多项工艺需求。同时，公司的制造资源也在国内处于领先地位，目前拥有 6英寸晶圆制造产能约为 23万片/月，8英寸晶圆制造产能约为 14万片/月，在建一条月产约4万片的 12英寸晶圆制造生产线英寸晶圆生产线正在上量爬坡阶段，具备为客户提供全方位的规模化制造服务能力。
在功率半导体领域，公司多项产品的性能、工艺居于国内领先地位，公司已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线，公司研发费用逐年增加，高研发投入奠定了工艺技术优势基础。2021年至 2023年，公司研发投入分别为 71,322.51万元、92,110.91万元和 115,411.23万元，占营业收入的比例分别为 7.71%、9.16%和 11.66%，2024年上半年，公司研发投入为 57,366.47万元，占营业收入的比例为 12.05%。截至 2024年 6月 30日，公司拥有 10,444名员工，其中包括 4,207名研发技术人员，合计占员工总数比例为 40.28%。公司核心技术人员均在半导体领域耕耘数十年，在不同的技术方向具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创造新兴事物的能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的市场敏锐度和科研水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。
公司领先的科研实力受到了社会的认可。公司牵头承担的国家科技重大专项项目和参与的多项国家科技重大专项项目均顺利按计划完成验收。目前，1项国家级科技项目已结题待验收，1项国家重点研发计划，2项长三角科学技术创新共同体联合攻关项目和 2项国家专项任务均按计划执行中。近年来公司通过积极开展产学研合作，最大化利用外部资源，推动公司研发创新快速发展。（未完）
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